CSD18532Q5B

Número de pieza: CSD18532Q5B

Fabricante: N/A

IC-Bosch Número de pieza: 73D-CSD18532Q5B

Embalaje: 8-PowerTDFN

Ficha de datos: CSD18532Q5B.pdf

Estado RoHS: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

Estado RoHS

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Especificaciones

FabricanteN/A
VGS (th) (Max) @Id2.2V @ 250µA
Vgs (Max)±20V
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo8-VSONP (5x6)
SerieNexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs3.2mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)3.2W (Ta), 156W (Tc)
Paquete / Cubierta8-PowerTDFN
PaqueteTape & Reel (TR)

Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds5070 pF @ 30 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs58 nC @ 10 V
Tipo FETN-Channel
Característica de FET-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las60 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C100A (Ta)
Número de producto baseCSD18532

1.CSD18532Q5B.pdf 2.CSD18532Q5B.pdf 3.CSD18532Q5B.pdf

Especificaciones similares

Atributo del producto
Número de pieza	CSD17573Q5BT	CSD17573Q5B	CSD17576Q5B	CSD19531Q5A
Fabricante	N/A	N/A	N/A	N/A
Característica de FET	-	-	-	-
Temperatura de funcionamiento	-	-	-	-
Paquete del dispositivo	-	-	-	-
Paquete	-	Bulk	Bulk	Bulk
VGS (th) (Max) @Id	-	-	-	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	-	-	-	-
Tecnología	-	-	-	-
Número de producto base	-	-	-	-
Vgs (Max)	-	-	-	-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	-	-	-
Tipo de montaje	-	-	-	-
RDS (Max) @Id, Vgs	-	-	-	-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	-	-	-	-
Serie	-	*	*	*
La disipación de energía (máximo)	-	-	-	-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	-	-	-	-
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-	-	-	-
Paquete / Cubierta	-	-	-	-
Tipo FET	-	-	-	-

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